Di sala 2020an de, bazirganîkirina nîtrîda gallyûmê(Teknolojiya barkirina bilez a GaN) bi fermî ketiye rêya bilez, nemaze bi hatina barkirina bilez a hêza bilind a hilberên dîjîtal û hatina serdema 5G, pêşkeftina teknolojiya nîtrîda galiumê di warê dabînkirina hêza xerîdaran de mîna masî di avê de ye, û kapasîteya bazarê bi lez zêde dibe.
Teqîna bazara şarjkirina bilez a galium nitride ne tenê guhertin di bazara cîhazên hêzê de anî, lê di heman demê de pêşkeftina teknolojiya kontrola GaNFET jî pêşve xist. Niha, hejmarek şîrketên çîpên bihêz li hundur û derveyî welêt derketine holê û kontrolkerên galium nitride derxistine holê.
Gallyûm nîtrîd (GaN) materyalek nîvconductor a nifşê nû ye. Leza wê ya xebitandinê 20 caran ji teknolojiya silîkonê (Si) ya kevneşopî ya kevn zûtir e, û dema ku di hilberên şarjê yên bilez ên pêşkeftî de tê bikar anîn, dikare sê caran hêzek bilindtir bi dest bixe. Di rewşa heman mezinahî de, hêza derketinê sê caran zêde dibe, dikare performansek pir ji hilberên heyî wêdetir bi dest bixe.
Hêza bilind, mezinahiya piçûk, û performansa bilind bûne trenda sereke ya pêşkeftina hilberên hêzê yên xerîdar. Bi hatina gelek hilberînerên cîhazên hêzê yên galium nîtrîd û nûvekirinên teknolojiya hilberê re, lêçûna pêşxistina barkirina bilez a galium nîtrîd hêdî hêdî kêm dibe. Tê pêşbînîkirin ku lêçûna cîhazên hêzê yên GaN dê piştî 2021-an hêdî hêdî ji cîhazên hêzê yên silîkonê yên heyî kêmtir bibe. Dibe ku ew ji bo nifşek nû ya hilberên çavkaniya barkirina bilez a lêçûn-bandor bibe bijareya çêtirîn.
Di bin vê meylê de, me rêze berhemên şarjkirina bilez jî dest pê kirine da ku daxwaza xerîdarên me yên zêde dibe bicîh bînin. Gelek model û şêwazên nû yên nîtrîda galiumê hene.（GaN）şarjkera bilez bi bihayekî reqabetê. Ji bo şêwirmendiyê û fermanan bi xêr hatin.
Dema weşandinê: 22ê rêbendana 2021an