Di sala 2020-an de, bazirganîkirina nitridê galium(GaN) teknolojiya barkirina bilez bi fermî ketiye rêça bilez, nemaze bi hatina şarjkirina bilez a hilberên dîjîtal û hatina serdema 5G, pêşkeftina teknolojiya nîtrîdê galium di warê dabînkirina hêza xerîdar de mîna masî ye. avê, û kapasîteya bazarê bi lez zêde dibe.
Teqîna bazara barkirina bilez a galium nitride ne tenê di bazara cîhaza hêzê de guhertinan pêk aniye, lê di heman demê de pêşkeftina teknolojiya kontrolê ya GaNFET jî pêşve xistiye.Heya nuha, hejmarek pargîdaniyên çîp ên hêzdar li hundur û derveyî welêt derketine, û kontrolkerên nitridê galium dane destpêkirin.
Galium nitride (GaN) maddeyek nîvconduktorê nifşê din e.Leza xebitandina wê 20 carî ji teknolojiya kevneşopî ya kevneşopî ya silicon (Si) zûtir e, û dema ku di hilberên şarjkerê bilez ên pêşkeftî de were bikar anîn dikare sê qat hêza wê bigihîje., Dikare performansê ji hilberên heyî wêdetir bigihîje, di heman mezinahiyê de, hêza derketinê sê carî zêde dibe.
Hêza bilind, mezinahiya piçûk, û performansa bilind bûne meyla pêşkeftina sereke ya hilberên hêza xerîdar.Bi ketina gelek hilberînerên cîhaza hêza galium nitride û nûvekirinên teknolojiya hilberê, lêçûna pêşkeftina barkirina bilez a nitride galium hêdî hêdî kêm dibe.Tê pêşbînîkirin ku lêçûna cîhazên hêza GaN dê hêdî hêdî piştî 2021-an ji alavên hêza siliconê ya heyî kêmtir bibe. Dibe ku ew ji bo nifşek nû ya hilberên çavkaniya bilez a lêçûn-bandor bibe bijareya çêtirîn.
Di bin vê meylê de, me di heman demê de rêzek hilberên barkirina bilez jî da destpêkirin da ku daxwazên mezinbûna xerîdar bicîh bîne.Me gelek modela nû û şêwaza nû ya nitridê galium heye(GaN）şarjkera bilez bi bihayê reqabetê.Bi xêr hatî bo şêwirdarî û fermanan.
Dema şandinê: Jan-22-2021